年发表该论文以来，一直有各种研究试图改进该模型
94年的时候有试图通过薄氮化氧化物来优化该模型的，95年有通过电子的热再发射来优化
但是这些研究都是通过物质层面，通过改变晶体管材料，来实现优化MOSFET晶体管的目的